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报道称，业界普遍认为，目前中国存储芯片的技术水平比韩国落后3-5年。虽然如此，中国的半导体追击依然是引发需求激增的半导体行业出现“价格触顶”争议的主要原因。报道称，目前中国计划批量生产的存储芯片与韩国产品的需求层并不相同。比如说，中国YMTC（长江存储）宣布将在明年批量生产的半导体属于32层3D Nand闪存，这是三星电子和SK海力士从2014年开始批量生产的产品，目前两家企业基本已经不再生产这种产品。目前三星和SK海力士生产的主力产品是64-72层3D Nand闪存，与中国企业拉开了巨大的技术差距。Nand闪存用来增加电路的“层数”越多，就需要越高的技术水平，即使同样“层数”的产品，也根据技术水平分为多个级别。三星电子2012年推出20纳米级（2y）DRAM产品后，直到5年后的2017年11月才开始批量生产下一级别的第二代10纳米级DRAM产品。

报道称，现在三星电子已经开始引进生产10纳米级以下新一代DRAM的极紫外光刻（EUV）生产线，SK海力士也将在年底开始量产96层4D Nand闪存半导体。三星电子存储芯片事业部负责营销的专务全世元（音）表示，“我们将扩大高端DRAM生产线，持续主导超高速、大容量、超省电的存储芯片发展趋势”。

此外，多只基金三季度新进的弘信电子、丸美股份、震安科技等个股，新进持股部分期末持股占比均超过10%。值得一提的是，上述股票中有多只个股为次新股，包括中信出版、丸美股份、震安科技等。从期末持股市值来看，最多的股票是中国神华。数据显示，4只基金三季度新进该股，持股数达4.27亿股，期末持股市值达到80.27亿元位居榜单首位。中国建筑位居次席，3只基金三季度新进持股10.28亿股，期末持股市值55.82亿元。此外，立讯精密、荣盛石化、中国交建等个股基金期末持股市值也均超过10亿元，卓胜微、卫士通、中国核电等个股期末持股市值超过亿元。

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（现货金日图 来源：FX168财经网）美联储纪要恐引发剧烈波动北京时间周四03：00，美国联邦公开市场委员会（FOMC）将公布2018年12月18-19日货币政策会议纪要。彭博经济学家撰文称，尽管FOMC声明没有对风险平衡状况的更新。但会议纪要可能提供相关细节，解释是否因为全球风险上升、金融市场动荡或缺乏通胀压力才需要采取更加温和的步伐退出政策宽松。